[发明专利]NMOS管及其制造方法有效
| 申请号： | 201910986161.5 | 申请日： | 2019-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN110767741B | 公开（公告）日： | 2023-09-15 |
| 发明（设计）人： | 郑印呈 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201315 上海市浦东新区中国（上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种NMOS管，包括：形成于栅极结构的两侧的P阱中的凹槽；在凹槽中填充有嵌入式外延层，嵌入式外延层包括至少一层梯度式硅磷砷外延层；最底层梯度式硅磷砷外延层和凹槽的底部表面和侧面接触；从凹槽的底部表面往上以及从侧面往内的方向上，梯度式硅磷砷外延层的磷掺杂浓度逐渐增加以及砷掺杂浓度逐渐降低，梯度式硅磷砷外延层中的磷和砷的掺杂浓度的梯度变化形成降低磷向外扩散的结构。本发明还公开了一种NMOS管的制造方法。本发明能有效降低嵌入式外延层的磷外扩，提高嵌入式外延层的张应力，提高器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | nmos 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种NMOS管，其特征在于，包括：/n在硅衬底的表面形成有由P阱组成的沟道区；/n在所述沟道区表面形成有栅极结构，被所述栅极结构覆盖的所述沟道区表面用于形成沟道；/n在所述栅极结构的两侧的所述P阱中形成有凹槽；/n在所述凹槽中填充有嵌入式外延层，所述嵌入式外延层包括至少一层梯度式硅磷砷外延层；最底层所述梯度式硅磷砷外延层和所述凹槽的底部表面和侧面接触；/n从所述凹槽的底部表面往上以及从侧面往内的方向上，所述梯度式硅磷砷外延层的磷掺杂浓度逐渐增加以及砷掺杂浓度逐渐降低，所述梯度式硅磷砷外延层中的磷和砷的掺杂浓度的梯度变化形成降低磷向外扩散的结构。/n
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