[发明专利]监控光刻机晶圆移载台平整度的方法有效
| 申请号： | 201910986178.0 | 申请日： | 2019-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN110618585B | 公开（公告）日： | 2022-05-27 |
| 发明（设计）人： | 王建涛;张聪 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 张彦敏 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及监控光刻机晶圆移载台平整度的方法，涉及半导体集成电路制造技术，建立一条晶圆移载台平整度检测的流程，利用污染状况良好的光片进行检测，曝光采用任意掩模板进行，同时设定曝光程式里反映平整度的参数上限，采用设定完成的曝光程式对光片进行曝光，获取曝光文件，分析曝光文件得到移载台的平整度信息，如此无需对光刻机进行停机，大大降低成本、提高产能，且单次作业时间较短，可以根据需要设定检测的频率(如每天、每周或每两周等)，大大提高了监控频率，实现了对移载台平整度的实时检测，减少离焦缺陷的发生。 | ||
| 搜索关键词： | 监控 光刻 机晶圆移载台 平整 方法 | ||
【主权项】：
1.一种监控光刻机晶圆移载台平整度的方法，其特征在于，包括：/nS1：生成曝光程式，设定曝光程式里的晶圆边缘非聚焦区域，并设定曝光程式里平整度检测的上限值A；/nS2：添加掩模板信息，用于曝光；/nS3：生成监控产品批次，监控产品批次里的晶圆采用光片；/nS4：对步骤S3中的光片进行污染状况监测，将污染状况符合规定的光片保留；/nS5：对步骤S4中产生的光片采用步骤S1中生成的曝光程式和步骤S2中的掩模板信息进行曝光，曝光结束后生成曝光文件；以及/nS6：抓取曝光文件中平整度超过上限值A的点的信息并将平整度超过上限值A的点定义为异常点，分析异常点数据，得到晶圆移载台的平整度信息。/n
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