[发明专利]激光退火设备及激光退火工艺有效
| 申请号： | 201910986190.1 | 申请日： | 2019-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN110767576B | 公开（公告）日： | 2022-10-21 |
| 发明（设计）人： | 顾海龙;裴雷洪;何春雷 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/268;B23K26/00;B23K26/03;B23K26/062;B23K26/70;B23K37/04 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 张彦敏 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及激光退火设备及激光退火工艺，涉及半导体集成电路制造技术，通过设置使激光退火设备中激光光源的中心点可跟随晶圆的中心点变化，以使当晶圆并未被放置在真空吸盘的正中间时，激光光源的中心点跟随晶圆实际位置的中心点变化，而使激光光源的中心点实时对准晶圆的中心点，而使激光光源均匀对称地实现对整片晶圆的激光退火工艺，从而确保了片内和片与片之间的均一性和稳定性，同时减少了因晶圆位置偏差导致的激光扫描至晶边发生破片的风险键尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 激光 退火 设备 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种激光退火设备，其特征在于，包括：真空吸盘，用于承载晶圆；激光光源，用于对位于真空吸盘上的晶圆进行激光退火工艺，其中激光光源的中心点跟随晶圆的中心点变化。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
