[发明专利]一种蓝宝石晶片研磨抛光方法在审
申请号: | 201910987874.3 | 申请日: | 2019-10-17 |
公开(公告)号: | CN110744362A | 公开(公告)日: | 2020-02-04 |
发明(设计)人: | 姚健 | 申请(专利权)人: | 江苏吉星新材料有限公司 |
主分类号: | B24B1/00 | 分类号: | B24B1/00;B24B57/02 |
代理公司: | 32200 南京经纬专利商标代理有限公司 | 代理人: | 楼高潮 |
地址: | 212200 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明属于宝石晶片加工技术领域,具体涉及一种蓝宝石晶片研磨抛光方法。包括以下步骤:对切割获得的蓝宝石晶片按厚度分组,使得同一组中多片蓝宝石晶片的厚度差在0.001mm以内;研磨阶段:采用粒度为1‑3um的高硬度微粉做为磨料,配合粗磨液,输入至研磨机进行研磨10‑15分钟;粗抛阶段:研磨结束后对所述蓝宝石晶片进行粗抛光;精抛阶段:将粗抛光后的蓝宝石晶片通过薄片状固定装置放置在双面抛光机的下抛光盘上,注入抛光液,所述上抛光盘和下抛光盘对蓝宝石晶片的上表面和下表面同时进行精抛光,其中所述抛光温度为45‑55℃,抛光时间为25‑35min。本发明的方法简单有效,适合工业化生产,所得的蓝宝石晶片的粗糙度低于0.3nm。 | ||
搜索关键词: | 蓝宝石晶片 研磨 抛光盘 粗抛光 抛光 磨料 双面抛光机 固定装置 晶片加工 研磨抛光 薄片状 粗糙度 高硬度 厚度差 精抛光 抛光液 上表面 下表面 研磨机 粗磨 粗抛 多片 精抛 微粉 宝石 切割 分组 配合 | ||
【主权项】:
1.一种蓝宝石晶片研磨抛光方法,其特征在于,包括以下步骤:/n(1)对切割获得的蓝宝石晶片按厚度分组,使得同一组中多片蓝宝石晶片的厚度差在0.001mm以内;/n(2)研磨阶段: 采用粒度为1-3um的高硬度微粉做为磨料,配合粗磨液,输入至研磨机进行研磨10-15分钟;/n(3)粗抛阶段:研磨结束后对所述蓝宝石晶片进行粗抛光,其中,所述抛光温度为25-38℃,单面抛光25-35min;/n(4)精抛阶段:将粗抛光后的蓝宝石晶片通过薄片状固定装置放置在双面抛光机的下抛光盘上,注入抛光液,所述上抛光盘和下抛光盘对蓝宝石晶片的上表面和下表面同时进行精抛光,其中所述抛光温度为45-55℃,抛光时间为25-35min,即得。/n
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