[发明专利]测试结构、半导体装置和用于在其中获取制造信息的方法有效
| 申请号： | 201910988282.3 | 申请日： | 2019-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN111199952B | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 许仕兴 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开提供在一晶圆上的一种测试结构。该测试结构包括多个隔离区域、一主动区域、多个栅极、一第一金属元件以及一第二金属元件。该主动区域位在各隔离区域之间。各栅极则分别位在隔离区域与主动区域其中之一上。第一金属元件电性地耦接到其中一栅极，而第二金属元件电性地耦接到主动区域。本公开还涉及一种半导体装置以及用于在该半导体装置中获取制造信息的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 测试 结构 半导体 装置 用于 其中 获取 制造 信息 方法 | ||
【主权项】：
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