[发明专利]一种有效去除晶圆正反面颗粒团聚的清洗方法有效
| 申请号： | 201910988726.3 | 申请日： | 2019-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN110729177B | 公开（公告）日： | 2022-06-24 |
| 发明（设计）人： | 刘福成;徐悅璐;孔令沂;邓菁;孙国胜;张新河;李锡光 | 申请（专利权）人： | 深圳第三代半导体研究院 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;B08B1/00;B08B3/08;B08B3/12 |
| 代理公司： | 广东莞信律师事务所 44332 | 代理人： | 曾秋梅 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市龙*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体清洗技术，尤其涉及一种有效去除晶圆正反面颗粒团聚的清洗方法，包括如下步骤：在距离出水口5cm‑20cm、流速0.1ml/min‑0.8ml/min的纯水出水口下，通过海绵刷分别刷洗晶片正反面1min‑5min；丙酮没过晶片放入超声仪中进行超声清洗1min‑8min；倒出丙酮，加入纯水没过所述晶片后倒出；重复所述步骤“加入纯水没过所述晶片后倒出”3遍；纯水没过所述晶片放入超声仪进行超声清洗1min‑8min；将所述晶片放入甩干机甩干。本发明采用单片式流体冲刷的清洗方法快速有效的去除SiC晶片正反面颗粒团聚，提高了SiC晶片的清洗效率及清洗质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 有效 去除 正反面 颗粒 团聚 清洗 方法 | ||
【主权项】：
1.一种有效去除晶圆正反面颗粒团聚的清洗方法，其特征在于，包括如下步骤：/n在距离出水口5cm-20cm、流速为0.1ml/min-0.8ml/min的纯水出水口下，通过海绵刷分别刷洗晶片正反面1min-5min；/n丙酮没过晶片放入超声仪中进行超声清洗1min-8min；/n倒出丙酮，加入纯水没过所述晶片后倒出；/n重复所述步骤“加入纯水没过所述晶片后倒出”3遍；/n纯水没过所述晶片放入超声仪进行超声清洗1min-8min；/n将所述晶片放入甩干机甩干。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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