[发明专利]集成电路及其制造方法和设计方法在审
| 申请号： | 201910992060.9 | 申请日： | 2019-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN111276479A | 公开（公告）日： | 2020-06-12 |
| 发明（设计）人： | 金珉修 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/06 | 分类号： | H01L27/06;H01L27/02;G06F30/392;G06F30/394 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 陈晓博;刘灿强 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种集成电路及其制造方法和设计方法。所述集成电路包括半导体基底、多条栅极线和多条金属线。所述多条栅极线形成在半导体基底上方的栅极层中，其中，所述多条栅极线布置在第一方向上并且在垂直于第一方向的第二方向上延伸。所述多条金属线形成在栅极层上方的导电层中，其中，所述多条金属线布置在第一方向上并且在第二方向上延伸。6N条金属线和4N条栅极线形成单元线路结构，其中，N是正整数，并且多个单元线路结构布置在第一方向上。通过单元线路结构增强集成电路的设计效率和性能。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 及其 制造 方法 设计 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
