[发明专利]一种接触孔制备方法

摘要

本发明公开了一种接触孔制备方法，包括以下步骤：提供并在半导体衬底上形成牺牲栅极区和源漏区；在已形成的结构上依次沉积接触刻蚀停止层和层间介质牺牲层；对层间介质牺牲层，进行第一平坦化处理；并在去除牺牲栅极区后，进行替代栅工艺；去除接触孔区域外的层间介质牺牲层，仅保留接触孔区域内的层间介质牺牲层；并在已形成的结构上沉积层间介质层；对层间介质层，进行第二平坦化处理；并去除接触孔区域内的层间介质牺牲层和接触刻蚀停止层；在接触孔区域内填充金属层，形成接触孔。本发明提供的接触孔制备方法易实现对尺寸较小、高深比较高的接触孔的制备，同时，可以确保在刻蚀过程中不会对源漏区等结构造成损伤，从而确保器件性能。

主权项

1.一种接触孔制备方法，其特征在于，包括以下步骤：/n提供半导体衬底，并在所述半导体衬底上形成牺牲栅极区和源漏区；/n在已形成的结构上沉积接触刻蚀停止层，以及在所述接触刻蚀停止层上沉积层间介质牺牲层；/n对所述层间介质牺牲层，进行第一平坦化处理；并在去除所述牺牲栅极区后，在栅极区域内依次形成栅极介质层和栅极；/n去除接触孔区域外的所述层间介质牺牲层，仅保留接触孔区域内的所述层间介质牺牲层；并在已形成的结构上沉积层间介质层；/n对所述层间介质层，进行第二平坦化处理；并去除所述接触孔区域内的所述层间介质牺牲层和接触刻蚀停止层；/n在所述接触孔区域内填充金属层，形成接触孔。/n