[发明专利]用于结合基体的方法及装置在审
| 申请号： | 201910992351.8 | 申请日： | 2014-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN110707026A | 公开（公告）日： | 2020-01-17 |
| 发明（设计）人： | F.P.林德纳 | 申请（专利权）人： | EV集团E·索尔纳有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/687 |
| 代理公司： | 72001 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘子豪;李建新 |
| 地址： | 奥地利圣*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及用于将第一基体（35）的第一接触面（35k）与第二基体（36）的第二接触面（36k）结合的方法和相对应的装置，具有下列步骤、尤其下列流程：将由所述第一基体（35）及所述第二基体（36）形成的、在接触面（35k、36k）处对准的基体堆（14）布置在第一加热设备（30）的第一加热面（15）与第二加热设备（26）的第二加热面（19）之间，其中，e）所述第一加热面（15）布置成面向所述第一基体（35）的与所述第一接触面（35k）背离的第一表面（35o），f）所述第二加热面（19）布置成面向所述第二基体（36）的与所述第二接触面（36k）背离的第二表面（36o），g）在所述第一表面（35o）与所述第一加热面（15）之间存在>0µm的间距A。 | ||
| 搜索关键词： | 加热面 第一表面 加热设备 背离 第二表面 对准 | ||
【主权项】：
1.用于接纳基体堆（14）的接纳装置，其特征在于，所述接纳装置布置成使得所述基体堆（14）仅仅被接纳在所述基体堆（14）的周缘区域中。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
