[发明专利]基板处理装置有效
| 申请号： | 201910992359.4 | 申请日： | 2016-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN110571177B | 公开（公告）日： | 2023-04-18 |
| 发明（设计）人： | 武明励;安藤幸嗣;前川直嗣;安武阳介 | 申请（专利权）人： | 株式会社思可林集团 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/687 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 向勇;宋晓宝 |
| 地址： | 日本京都*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的基板处理装置一边抑制残留处理液进入器件区域一边处理上表面周缘部，具有：基板保持部，将基板保持为大致水平，围绕规定旋转轴旋转，旋转机构，使基板保持部围绕旋转轴旋转，处理液喷出部，以使液流接触以旋转轴为中心旋转的基板的上表面周缘部的旋转轨迹中的一部分的着落位置的方式喷出处理液的液流，气体喷出部，从上方朝向旋转轨迹中的着落位置的基板的旋转方向的上游侧的第一位置喷出非活性气体的第一气流，使第一气流从第一位置朝向基板的周缘，从上方朝向旋转轨迹中的第一位置的基板的旋转方向的上游侧的第二位置喷出非活性气体的第二气流，使第二气流从第二位置朝向基板的周缘；第二气流喷出时的动能小于第一气流喷出时的动能。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 | ||
【主权项】：
1.一种基板处理装置，其特征在于，/n具有：/n基板保持部，将基板保持为大致水平，设置为能够围绕规定的旋转轴旋转，/n旋转机构，使所述基板保持部围绕所述旋转轴旋转，/n药液喷嘴，以使药液与所述基板的处理面的周缘部的第一旋转轨迹中的第一位置接触的方式喷出药液，以及/n冲洗液喷嘴，以使冲洗液与所述基板的处理面的相反侧的非处理面的周缘部的第二旋转轨迹中的第二位置接触的方式喷出冲洗液；/n所述第二位置为所述第一位置的所述基板的旋转方向的上游侧的位置，所述第二位置预先设定为，在所述冲洗液沿着所述基板的周向移动到达所述第一位置的附近时，该冲洗液从所述基板的所述非处理面绕到所述基板的端面，并且几乎不绕到所述处理面的周缘部。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社思可林集团，未经株式会社思可林集团许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910992359.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种半导体清洗处理箱体夹持工装
- 下一篇：晶圆转换装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
