[发明专利]一种PECVD薄膜沉积腔室及PECVD工艺在审
| 申请号： | 201910992547.7 | 申请日： | 2019-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN110527986A | 公开（公告）日： | 2019-12-03 |
| 发明（设计）人： | 李伯平;李渊 | 申请（专利权）人： | 南京华伯新材料有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/513 | 分类号： | C23C16/513;C23C16/458 |
| 代理公司： | 11413 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 张函;王春伟<国际申请>=<国际公布>= |
| 地址： | 210061 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种PECVD薄膜沉积腔室及PECVD工艺。PECVD薄膜沉积腔室包括：沉积腔室本体，上电极和下电极，均设置在沉积腔室本体内部，上电极和下电极用于施加电源，并在上电极和下电极之间形成等离子体；真空腔室阀门，设置在沉积腔室本体内部，用于在开启状态下联通沉积腔室本体与大气压，并且在关闭状态下密封沉积腔室本体；固定载具，固定载具与下电极固连，位于上电极和下电极之间，用于承载待加工工件。本发明通过固定载具设置在PECVD薄膜沉积腔室中，在该腔室完成薄膜沉积工艺这一过程中不采用载具，从根本上杜绝了污染源，从而避免沉积不同掺杂层之间的掺杂原子交叉污染，适合大规模生产PECVD薄膜沉积。 | ||
| 搜索关键词： | 沉积腔室 下电极 电极 载具 薄膜沉积腔 等离子体 薄膜沉积工艺 待加工工件 薄膜沉积 掺杂原子 交叉污染 开启状态 真空腔室 掺杂层 下密封 阀门 固连 联通 腔室 沉积 污染源 电源 承载 施加 | ||
【主权项】：
1.一种PECVD薄膜沉积腔室，其特征在于，包括：/n沉积腔室本体，/n上电极和下电极，均设置在所述沉积腔室本体内部，所述上电极和下电极用于施加电源，并在所述上电极和下电极之间形成等离子体；/n真空腔室阀门，设置在所述沉积腔室本体内部，用于在开启状态下联通所述沉积腔室本体与大气压，并且在关闭状态下密封所述沉积腔室本体；/n固定载具，所述固定载具与所述下电极固连，位于所述上电极和下电极之间，用于承载待加工工件。/n
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
