[发明专利]一种碳纳米管平行阵列的制备方法有效
| 申请号： | 201910992764.6 | 申请日： | 2019-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN110683508B | 公开（公告）日： | 2023-05-23 |
| 发明（设计）人： | 梁学磊;刘芳 | 申请（专利权）人： | 北京元芯碳基集成电路研究院;北京大学;北京华碳元芯电子科技有限责任公司 |
| 主分类号： | B81B7/04 | 分类号： | B81B7/04;B81C1/00;C01B32/166 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张雪娇 |
| 地址： | 100195 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种碳纳米管平行阵列的制备方法，该方法通过将第一衬底倒置在第二衬底上方，使得第一衬底的凸起结构朝向第二衬底的沉积平面设置，并在第一衬底与第二衬底之间引入碳纳米管溶液，以使碳纳米管溶液在凸起结构的顶部与第二衬底之间形成毛细桥，此时第一衬底的凸起结构对由碳纳米管溶液形成的毛细桥产生钉扎作用，使得碳纳米管溶液蒸发时在第一衬底和第二衬底上均沉积碳纳米管平行阵列，在碳纳米管溶液完全蒸发后，通过平行沉积平面移动第一衬底并重新引入碳纳米管溶液即可实现大面积制备碳纳米管平行阵列的目的，并且制备的碳纳米管平行阵列的覆盖面积可控，可以实现有效区域的完全覆盖。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 平行 阵列 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种碳纳米管平行阵列的制备方法，其特征在于，包括：/n提供第一衬底和第二衬底，所述第一衬底具有多个沿第一方向排列的凸起结构，所述凸起结构沿第二方向延伸，所述第二衬底具有沉积平面；所述第一方向与所述第二方向交叉；/n将所述第一衬底倒置在所述第二衬底上方，以使所述凸起结构朝向所述沉积平面设置，并在所述第一衬底与所述第二衬底之间引入碳纳米管溶液，以使所述碳纳米管溶液在所述凸起结构的顶部与所述第二衬底之间形成毛细桥，随着所述碳纳米管溶液的蒸发，碳纳米管阵列形成于所述第一衬底和第二衬底表面。/n
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