[发明专利]一种提高转换速度的电平转换电路及电子设备在审

专利信息
申请号: 201910993502.1 申请日: 2019-10-18
公开(公告)号: CN110739960A 公开(公告)日: 2020-01-31
发明(设计)人: 刘丽;苗小雨 申请(专利权)人: 四川中微芯成科技有限公司
主分类号: H03K19/0185 分类号: H03K19/0185;H03K19/003
代理公司: 51247 成都坤伦厚朴专利代理事务所(普通合伙) 代理人: 刘坤
地址: 610000 四川省成都市中国(四川)自由贸易*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明涉及电子电路技术领域,尤其涉及一种高速电平转换电路及电子设备。一种高速电平转换电路及电子设备,包括:两个NMOS管组成的下拉电路,用于在输入电压后下拉电压至零电平;一个反相器将输入电压进行反相;一个恒定阻值的电阻R,一个恒定电流的电流源I,用于产生一个恒定电压,当输入电平为低电平时,经过反相器反相后的电压与该恒定电压值相同;一个PMOS管,用于将电压上拉至高电平;一个电容C,借助电容的耦合作用使经过NMOS管后的输出电压快速变换。该电路相比现有技术具有结构简单、并且能显著的提升转换速度的优点。
搜索关键词: 电平转换电路 电子设备 恒定电压 输入电压 电容 反相器 反相 电子电路技术 恒定 电压上拉 恒定电流 快速变换 输出电压 输入电平 下拉电路 下拉电压 耦合作用 电流源 高电平 零电平 低电 电阻 电路 转换
【主权项】:
1.一种提高转换速度的电平转换电路,其特征在于所述电平转换电路包括输入信号端,输出信号端,反向器,第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管,恒定电流源、阻抗,电容,PMOS晶体管;/n所述第一NMOS晶体管栅极与所述输入信号端连接,源极接地,漏极经由所述恒定电流源与所述阻抗第一端连接;/n所述第二NMOS晶体管栅极通过所述反向器与所述输入信号连接,源极接地,漏极与所述PMOS晶体管源极共接并同时连接至所述输出信号端;/n所述阻抗第一端与所述PMOS晶体管栅极共接,所述阻抗第一端还经所述电容连接至所述第二NMOS晶体管栅极;/n所述阻抗第二端以及所述PMOS晶体管漏极连接至第一高电平;/n所述输入信号端输入信号为一低电平信号时所述输出信号端输出低电平;/n所述输入信号端输入信号为一高电平信号时所述输出信号端输出高电平。/n
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