[发明专利]一种表面钝化制备硫化锑基薄膜太阳能电池的方法有效
申请号: | 201910993548.3 | 申请日: | 2019-10-18 |
公开(公告)号: | CN110854277B | 公开(公告)日: | 2020-12-08 |
发明(设计)人: | 李炫华;韩剑;曹琦 | 申请(专利权)人: | 西北工业大学 |
主分类号: | H01L51/48 | 分类号: | H01L51/48;H01L51/46;H01L51/42 |
代理公司: | 西北工业大学专利中心 61204 | 代理人: | 慕安荣 |
地址: | 710072 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种表面钝化制备硫化锑基薄膜太阳能电池的方法,通过引入三氯化锑无机盐,并将其应用在硫化锑薄膜的后处理中,以达到抑制电池界面缺陷的目的。该处理方法有效钝化了硫化锑薄膜表面的缺陷态,抑制载流子复合,在阻挡电子的同时允许空穴遂穿到空穴传输层;同时该钝化处理方法耗能低、时间短,有益于进一步提升硫化锑基薄膜太阳能电池的能量转换效率。本发明在硫化锑薄膜表面形成一层三氯化锑无机盐钝化层,钝化了硫化锑表面的缺陷,抑制了载流子复合,提高了载流子传输,显著提高了硫化锑基薄膜太阳能电池的开路电压,短路电流密度,填充因子和能量转化效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 表面 钝化 制备 硫化锑 薄膜 太阳能电池 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西北工业大学,未经西北工业大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910993548.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择