[发明专利]一种基于LDPC码的存储芯片容错装置及容错纠错方法

摘要

本发明公开了一种基于LDPC码的存储芯片容错装置及容错纠错方法。提供的技术方案是：采用TSV纵向垂直集成技术将正常数据存储载体晶圆和纠错控制载体晶圆构成三维堆叠式存储单位，纠错控制晶圆承载容错校验数据和纠错控制单元，共享正常数据存储体的地址、数据和控制总线；(2)纠错控制器定时读取正常数据和容错数据，进行基于LDPC码的Two‑bit比特翻转译码，若译码成功，则进行纠错数据回写操作，否则结束译码；(3)进行读写冲突检测，若无冲突，立即将纠错后的正确数据分别回写到存储单元和校验单元中，否则启用避让策略，继续等待，直至数据成功回写或冲突检测失败。具有超强纠错能力，便于电子封装，易于硬件实现，可用于高速Cache、闪速内存、SSD等存储容错领域。

主权项

1.一种基于LDPC码的存储芯片容错装置，其特征在于，包括构建的数据存储体和存储容错装置，所述数据存储体采用纵向垂直集成法，以数片存储晶圆为单元，堆叠在一起构成一组三维堆叠式存储体，将多组存储体分区并排种植在存储晶圆表面，连接独立的地址总线和数据总线；所述存储容错装置集成在一个独立的容错/纠错晶圆上，容错/纠错晶圆置于多组三维堆叠式存储体之上，容错/纠错晶圆与三维堆叠式存储体之间由TSV控制通道和TSV读写通道相连；所述存储容错装置包括存储单元和容错单元，地址总线一路接存储单元内的数据阵列，另一路经存储单元的控制器后分别接存储单元内的数据阵列和容错单元的检测器，数据总线接存储单元内的数据阵列；容错单元中的检测器分别接期内的校验阵列和纠错控制器，存储单元内的数据阵列和容错单元中的纠错控制器双向连接。/n