[发明专利]晶圆检测方法有效
| 申请号： | 201910994784.7 | 申请日： | 2019-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN112687559B | 公开（公告）日： | 2022-07-26 |
| 发明（设计）人： | 梁时元;刘智龙;权炳仁 | 申请（专利权）人： | 夏泰鑫半导体（青岛）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人： | 彭辉剑;龚慧惠 |
| 地址： | 266000 山东省青岛市黄岛区*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种晶圆检测方法包括：提供多个待测晶圆，每一待测晶圆包括多个曝光场，每一曝光场上设有至少一待测芯片；在每一曝光场上选定一待测芯片的其中一区域为待测区；根据第一坐标位置在当前待测晶圆中选定部分曝光场作为第一曝光场；对所述当前待测晶圆位于每一第一曝光场上的待测芯片的待测区进行测试；当其中一待测芯片被测试为不良芯片时，标记所述不良芯片所在的第一曝光场为不良曝光场；将临近所述不良曝光场设置的多个曝光场选定为备选曝光场；选定至少一备选曝光场，确定其第二坐标位置；根据第二坐标位置在下一待测晶圆中选定对应的曝光场作为至少一第二曝光场；对所述下一待测晶圆位于每一第二曝光场上的待测芯片的待测区进行测试。 | ||
| 搜索关键词： | 检测 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
