[发明专利]低温多晶硅基板的制作方法及低温多晶硅基板在审
| 申请号： | 201910995575.4 | 申请日： | 2019-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN110838467A | 公开（公告）日： | 2020-02-25 |
| 发明（设计）人： | 聂晓辉 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/12 |
| 代理公司： | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人： | 林才桂;程晓 |
| 地址： | 430079 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种低温多晶硅基板的制作方法及低温多晶硅基板。本发明的低温多晶硅基板的制作方法，先在衬底基板上依次沉积形成缓冲层和非晶硅层，在非晶硅层和缓冲层上图案化形成多条沟槽，该多条沟槽将所述非晶硅层分隔成多个相互独立的单元格，然后再对所述非晶硅层进行退火处理以结晶形成多晶硅层，最后对该多晶硅层进行图案化处理，每一单元格对应形成一个有源层图案；本发明通过在非晶硅层和缓冲层上设置沟槽，在非晶硅层退火结晶形成多晶硅层的过程中为晶粒横向生长提供空间，从而能够降低多晶硅层的薄膜应力，避免多晶硅薄膜凸起，提高低温多晶硅制程的可靠性，进而提高TFT器件的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 低温 多晶 硅基板 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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