[发明专利]基于SOT效应的物理不可克隆函数生成方法及系统有效
| 申请号： | 201910997447.3 | 申请日： | 2019-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN110851882B | 公开（公告）日： | 2022-04-22 |
| 发明（设计）人： | 游龙;张建;张帅;曹真;李若凡;洪正敏 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | G06F21/73 | 分类号： | G06F21/73 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 李智;廖盈春 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明属于自旋信息安全领域。针对现有物理不可克隆函数器件的制作工艺复杂、存在较大安全隐患的技术问题，提供了一种基于SOT效应的物理不可克隆函数生成方法及系统。首先，采用经过光刻、刻蚀等工艺制作的同一批器件构建Hall Bar阵列，对Hall Bar阵列的所有器件进行初始化，并施加相同的写电流；其次，根据给定的地址从所述阵列中任意选择N个器件，获取所述N个器件的反常霍尔电阻；最后，将所述N个器件的反常霍尔电阻进行两两比较，根据比较结果生成响应。本发明通过简单的光刻、刻蚀等工艺制作，得到不同的反常霍尔电阻分布，制备工艺简单且安全性能较高；而且，这样的随机性还可通过改变初始化电流和写电流进行重构，进一步提高了安全性能。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 sot 效应 物理 不可 克隆 函数 生成 方法 系统 | ||
【主权项】：
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