[发明专利]提高闪存擦写寿命的方法和装置在审
| 申请号： | 201910997848.9 | 申请日： | 2019-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN110750466A | 公开（公告）日： | 2020-02-04 |
| 发明（设计）人： | 谈超;胡琳 | 申请（专利权）人： | 深圳豪杰创新电子有限公司 |
| 主分类号： | G06F12/02 | 分类号： | G06F12/02 |
| 代理公司： | 11463 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人： | 安卫静 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区桃源*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了提高闪存擦写寿命的方法和装置，包括：获取闪存的存储容量，根据闪存的存储容量将数据存储区域划分为第一存储区域和第二存储区域；获取数据信息，并将数据信息写入数据缓存区域；将写入数据缓存区域中的数据信息分别写入第一存储区域和第二存储区域，以及将第一存储区域中的多个第一物理块已存储的数据信息和第二存储区域中的多个第二物理块已存储的数据信息通过磨损均衡算法进行擦除；其中，第一存储区域为用户看得见的区域，第二存储区域为用户看不见的区域，第一存储区域的存储容量与第二存储区域的存储容量相同，磨损均衡算法为使每个第一物理块的擦除次数和每个第二物理块的擦除次数达到均衡，从而提高闪存的擦写寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 存储区域 存储容量 数据信息 物理块 闪存 擦除 缓存区域 磨损均衡 写入数据 擦写 算法 存储 数据存储区域 方法和装置 获取数据 写入 均衡 | ||
【主权项】：
1.一种提高闪存擦写寿命的方法，其特征在于，闪存包括数据缓存区域和数据存储区域，所述方法包括：/n获取闪存的存储容量，根据所述闪存的存储容量将所述数据存储区域划分为第一存储区域和第二存储区域；/n获取数据信息，并将所述数据信息写入所述数据缓存区域；/n将写入所述数据缓存区域中的数据信息分别写入所述第一存储区域和所述第二存储区域，以及将所述第一存储区域中的多个第一物理块已存储的数据信息和所述第二存储区域中已存储的多个第二物理块的数据信息通过磨损均衡算法进行擦除；/n其中，所述第一存储区域为用户看得见的区域，所述第二存储区域为所述用户看不见的区域，所述第一存储区域的存储容量与所述第二存储区域的存储容量相同，所述磨损均衡算法为使每个所述第一物理块的擦除次数和每个所述第二物理块的擦除次数达到均衡。/n
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