[发明专利]一种应用于场发射冷阴极的可调长径比碳纳米管阵列束的制备方法有效
| 申请号： | 201910997909.1 | 申请日： | 2019-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN110767515B | 公开（公告）日： | 2020-10-27 |
| 发明（设计）人： | 程国安;唐煦尧;吴晓玲 | 申请（专利权）人： | 北京师范大学 |
| 主分类号： | H01J1/304 | 分类号： | H01J1/304;H01J9/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100875 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明属于纳米新材料和真空电子技术的交叉领域，尤其涉及可调长径比碳纳米管阵列束的制备方法，主要用于真空电子辐射源器件或产生大电流、高电流密度电子束的器件中，但也可用于其他多种用途。本发明包括是利用碳纳米管阵列的场发射特性和精密操控的激光刻蚀技术，在取向碳纳米管阵列薄膜上，利用微束激光刻蚀加工，实现不同长径比的和不同束直径模块化结构的取向碳纳米管阵列束的加工，并利用微纳操纵转移将该阵列束加工成具有优异场发射性能且不同阴极尺寸的场电子发射体。本发明通过碳纳米管阵列薄膜和激光刻蚀加工，实现不同长径比和束直径的模块化取向碳纳米管阵列束的加工，拓展了一维纳米材料的应用领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 应用于 发射 阴极 可调 长径 纳米 阵列 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种应用于场发射冷阴极的可调长径比碳纳米管阵列束及其制备方法，其特征是利用碳纳米管阵列的场发射特性和可精密操控的激光刻蚀技术，在管直径为5-80nm、厚度在50-400μm的垂直取向多壁碳纳米管阵列薄膜基础上，利用微束强激光刻蚀加工，实现长径比在2：1至30：1的模块化结构的取向碳纳米管阵列束，该模块化结构的取向碳纳米管阵列束的直径根据实际需要可在5-1000um范围内调节；以0.5-200μm直径的阴极金属针尖为支撑体，利用微纳操纵转移和胶黏剂将该模块化结构的取向碳纳米管阵列束转移到金属针尖支撑体上，形成具有不同电子束发射尺寸、高场发射电流密度及良好场发射电流-时间稳定性的基于碳纳米管阵列微束的场发射冷阴极发射体。/n
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