[发明专利]顶电极互连结构在审
| 申请号： | 201910998482.7 | 申请日： | 2019-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN111211109A | 公开（公告）日： | 2020-05-29 |
| 发明（设计）人： | I·G·金;R·A·奥格尔 | 申请（专利权）人： | 格芯公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L21/768;H01L45/00;H01L43/08;H01L43/12 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 贺月娇;杨晓光 |
| 地址： | 开曼群岛*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及半导体结构，更具体地，顶电极互连结构以及制造方法。该结构包括：下金属化特征；上金属化特征；与下金属化特征直接接触的底电极；位于底电极之上的一种或多种开关材料；位于一种或多种开关材料之上的顶电极；以及与顶电极和上金属化特征接触的自对准过孔互连。 | ||
| 搜索关键词： | 电极 互连 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
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