[发明专利]磁性质测量系统和方法和使用其制造磁存储器件的方法在审

专利信息
申请号: 201910999098.9 申请日: 2019-10-21
公开(公告)号: CN111077114A 公开(公告)日: 2020-04-28
发明(设计)人: 卢恩仙 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G01N21/47 分类号: G01N21/47;G11C11/16
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 弋桂芬
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明公开了一种磁性质测量系统、测量磁性质的方法和使用其制造磁存储器件的方法,其中该磁性质测量系统包括配置为保持样品的平台和设置在平台上方的磁结构。该平台包括主体部分、邻近主体部分的磁性部分以及在主体部分中限定的多个孔。平台的磁性部分和磁结构配置为将垂直于样品的一个表面的磁场施加到样品。平台配置为在平行于样品的所述一个表面且彼此垂直的第一方向和第二方向上水平地移动。
搜索关键词: 磁性 测量 系统 方法 使用 制造 磁存储器
【主权项】:
暂无信息
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