[发明专利]沟槽栅半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201911000301.3 | 申请日： | 2019-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN110739347B | 公开（公告）日： | 2023-10-20 |
| 发明（设计）人： | 杨继业;赵龙杰;李昊 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种沟槽栅半导体器件，沟槽栅包括形成于半导体衬底中沟槽、形成于所述沟槽的底部表面和侧面的栅氧化层；栅氧化层由第一氧化层和第二氧化层叠加而成；第一氧化层为炉管热氧化层；第二氧化层为PECVD氧化层；栅氧化层具有通过RTA处理的热致密结构；利用沟槽中形成的PECVD氧化层具有底部表面的厚度大于侧面厚度的特性，使栅氧化层具有位于沟槽的底部表面的厚度大于位于沟槽的侧面的厚度的结构。本发明还公开了一种沟槽栅半导体器件的制造方法。本发明能提高器件的BVGSS，同时不影响器件的阈值电压，工艺简单且成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种沟槽栅半导体器件，其特征在于：沟槽栅包括形成于半导体衬底中沟槽、形成于所述沟槽的底部表面和侧面的栅氧化层；/n所述栅氧化层由第一氧化层和第二氧化层叠加而成；/n所述第一氧化层为炉管热氧化层；/n所述第二氧化层为PECVD氧化层；/n所述栅氧化层具有通过RTA处理的热致密结构；/n利用所述沟槽中形成的PECVD氧化层具有底部表面的厚度大于侧面厚度的特性，使所述栅氧化层具有位于所述沟槽的底部表面的厚度大于位于所述沟槽的侧面的厚度的结构。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司，未经上海华虹宏力半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201911000301.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
