[发明专利]一种多晶硅电阻的制作方法有效
| 申请号： | 201911000316.X | 申请日： | 2019-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN110729402B | 公开（公告）日： | 2023-03-07 |
| 发明（设计）人： | 卓红标;熊淑平 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H10N97/00 | 分类号： | H10N97/00 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种多晶硅电阻的制作方法，提供一衬底，衬底上具有表面高于该衬底表面的隔离区；在衬底上形成一层覆盖衬底表面和隔离区表面的介质层，在该介质层上形成多晶硅层；对多晶硅层进行第一次注入掺杂；在多晶硅层上形成一掩膜层；对多晶硅层进行第二次注入掺杂；去除掩膜层；刻蚀多晶硅层，形成位于隔离区上方和衬底上方尺寸相同、阻值不同的多晶硅电阻。本发明在不增加光罩的情况下在单片晶圆上至少可实现两种不同阻值的多晶硅电阻，降低生产成本，简化制造工艺，减小多晶硅电阻面积，提高产品竞争力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 电阻 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种多晶硅电阻的制作方法，其特征在于，该方法至少包括以下步骤：/n步骤一、提供第一结构，所述第一结构上设有与其表面具有高度差的第二结构；/n步骤二、形成一层覆盖所述第一、第二结构表面的介质层，在该介质层上形成多晶硅层；/n步骤三、对所述多晶硅层进行第一次注入掺杂；/n步骤四、在所述多晶硅层上形成一掩膜层；/n步骤五、对所述多晶硅层进行第二次注入掺杂；/n步骤六、去除所述掩膜层；/n步骤七、刻蚀所述多晶硅层，形成位于所述第一结构上方和所述第二结构上方尺寸相同、阻值不同的多晶硅电阻。/n
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