[发明专利]一种双向ESD保护器件在审
| 申请号： | 201911000838.X | 申请日： | 2019-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN110649017A | 公开（公告）日： | 2020-01-03 |
| 发明（设计）人： | 张鹏;杨钰琳;宋文龙 | 申请（专利权）人： | 启东吉莱电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 32243 南京正联知识产权代理有限公司 | 代理人： | 查鑫利 |
| 地址： | 226200 江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种双向ESD保护器件，由N+衬底层101、P型外延层102和N+掺杂层103组成的芯片；所述N+衬底层101上方设P型外延层102，P型外延层102上方设N+掺杂层103；深隔离槽104位于芯片左右两侧，其中靠近芯片中心区域的深隔离槽104内设有掺杂的多晶浮岛108，隔离介质层105介于深隔离槽104与正面电极106之间，正面电极106位于N+掺杂层103和隔离介质层105上方，背面电极107形成于N+衬底层101之下。本发明针对普通电容、大电流泄放能力应用的ESD保护，采用槽栅隔离的纵向三极管结构，解决了集成电路静电释放问题。 | ||
| 搜索关键词： | 深隔离槽 掺杂层 衬底层 隔离介质层 正面电极 双向ESD保护器件 芯片 三极管结构 背面电极 静电释放 能力应用 芯片中心 左右两侧 掺杂的 大电流 电容 槽栅 多晶 浮岛 泄放 集成电路 隔离 | ||
【主权项】：
1.一种双向ESD保护器件，其特征在于：由N+衬底层、P型外延层和N+掺杂层组成的芯片；所述N+衬底层上方设P型外延层，P型外延层上方设N+掺杂层；深隔离槽位于芯片左右两侧，其中靠近芯片中心区域的深隔离槽内设有掺杂的多晶浮岛，隔离介质层介于深隔离槽与正面电极之间，正面电极位于N+掺杂层和隔离介质层上方，背面电极形成于N+衬底层之下。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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