[发明专利]利用MBE再生长p-GaN的单栅结构GaN-JFET器件的方法在审
| 申请号： | 201911000871.2 | 申请日： | 2019-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN110634747A | 公开（公告）日： | 2019-12-31 |
| 发明（设计）人： | 郭慧;陈敦军;谢自力 | 申请（专利权）人： | 南京集芯光电技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/337 | 分类号： | H01L21/337;H01L29/808 |
| 代理公司： | 32332 江苏斐多律师事务所 | 代理人： | 张佳妮 |
| 地址： | 210008 江苏省南京市经济*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种利用MBE再生长p‑GaN的单栅结构GaN‑JFET器件的方法，在GaN外延片上刻蚀重掺n | ||
| 搜索关键词： | 再生长 单栅结构 刻蚀 结型场效应管 离子注入法 材料损伤 横向沟道 平面结构 器件结构 传统的 源漏区 栅区 离子 保留 | ||
【主权项】：
1.一种利用MBE再生长p-GaN的单栅结构GaN-JFET器件的方法，其步骤包括：/n(1)MOCVD法在衬底上生长半绝缘的GaN层，再生长n-GaN沟道层，接着生长重掺n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
