[发明专利]一种增强型AlGaN/GaN MOS-HEMT器件结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201911001784.9 | 申请日： | 2019-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN110600549A | 公开（公告）日： | 2019-12-20 |
| 发明（设计）人： | 李迈克 | 申请（专利权）人： | 中证博芯(重庆)半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L29/10;H01L29/423;H01L21/335 |
| 代理公司： | 50218 重庆信航知识产权代理有限公司 | 代理人： | 穆祥维 |
| 地址： | 401573 重庆*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明提供一种增强型AlGaN/GaN MOS‑HEMT器件结构，包括Al | ||
| 搜索关键词： | 衬底 帽层 本征GaN缓冲层 漏极区域 衬底层 制备 栅极氧化层表面 化合物半导体 欧姆接触表面 栅极泄露电流 大规模制造 器件可靠性 栅极氧化层 表面形成 欧姆接触 器件表面 器件结构 驱动电流 源极区域 栅极金属 栅极区域 金属化 增强型 阻挡层 沟道 减小 刻蚀 源极 制程 兼容 主流 重复 申请 | ||
【主权项】：
1.一种增强型AlGaN/GaN MOS-HEMT器件结构，其特征在于，包括Al
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