[发明专利]包括功能层的半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201911004608.0 | 申请日： | 2019-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN111106174A | 公开（公告）日： | 2020-05-05 |
| 发明（设计）人： | 林杠默;金相秀;朴雨锡;许盛祺 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 屈玉华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体器件，包括：基板；有源区，设置在基板上并沿第一方向延伸；与有源区相邻的器件隔离层；设置在有源区中的栅极结构，该栅极结构沿与第一方向交叉的第二方向延伸并覆盖器件隔离层的一部分；栅极分离图案，接触栅极结构的端部；以及杂质区，设置在栅极分离图案下方并在器件隔离层上。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 功能 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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