[发明专利]3dB电桥及其制备方法有效
| 申请号： | 201911005395.3 | 申请日： | 2019-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN110797620B | 公开（公告）日： | 2022-08-02 |
| 发明（设计）人： | 邓世雄;周全;史磊;要志宏;王乔楠;董雪;白银超;韩鹏飞;任亮;刘晓莉;李增路 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01P5/16 | 分类号： | H01P5/16;H01P11/00 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 付晓娣 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明属于无线电技术领域，涉及一种3dB电桥及其制备方法。所述电桥包括：输入端口、直通端口、耦合端口、隔离端口、第一平行微带线、第二平行微带线、介质基片和金属垫片；第一平行微带线呈正U字形，第二平行微带线呈倒U字形，两者呈叉指结构耦合并设置在介质基片的正面上；第一平行微带线的第一端与输入端口连接，第二端与直通端口连接，第二平行微带线的第一端与耦合端口连接，第二端与隔离端口连接；介质基片的背面设置缺陷地结构；金属垫片设置在介质基片的背面，且设置与缺陷地结构的位置和图形均相同的开槽结构。本发明尺寸小，插入损耗小，有效提高电桥的耐功率能力，提高产品可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | db 电桥 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种3dB电桥，其特征在于，包括：输入端口、直通端口、耦合端口、隔离端口、第一平行微带线、第二平行微带线、介质基片和金属垫片；/n所述第一平行微带线呈正U字形，所述第二平行微带线呈倒U字形，所述第一平行微带线和所述第二平行微带线呈叉指结构耦合并设置在所述介质基片的正面上；所述第一平行微带线的第一端与所述输入端口连接，所述第一平行微带线的第二端与所述直通端口连接，所述第二平行微带线的第一端与所述耦合端口连接，所述第二平行微带线的第二端与所述隔离端口连接；/n所述介质基片的背面设置缺陷地结构，所述缺陷地结构位于所述第一平行微带线和第二平行微带线的正下方；/n所述金属垫片设置在所述介质基片的背面，且设置与所述缺陷地结构的位置和图形均相同的开槽结构。/n
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