[发明专利]存储器单元、集成芯片和形成半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201911005887.2 | 申请日： | 2019-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN111091857B | 公开（公告）日： | 2021-12-21 |
| 发明（设计）人： | 赖昇志;林仲德;曹敏;兰迪·奥斯本 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00;G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本申请的各种实施例涉及具有独立可调阈值电压的双极选择器，以及包括双极选择器的存储器单元和包括存储器单元的存储器阵列。在一些实施例中，双极选择器包括第一单极选择器和第二单极选择器。第一单极选择器和第二单极选择器以相反的取向并联电耦合并且，例如，可以是二极管或一些其他合适的单极选择器。通过将第一单极选择器和第二单极选择器以相反的取向平行放置，第一单极选择器独立地限定双极选择器的第一阈值电压并且第二单极选择器独立地限定双极选择器的第二阈值电压。结果，可以通过调整第一单极选择器和第二单极选择器的参数来独立地调谐第一阈值电压和第二阈值电压。本申请的实施例提供了存储器单元、集成芯片和形成半导体器件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 单元 集成 芯片 形成 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
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