[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201911006477.X | 申请日： | 2019-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN112701106A | 公开（公告）日： | 2021-04-23 |
| 发明（设计）人： | 金吉松 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，其中半导体结构包括：基底，所述基底包括无效区，所述无效区表面具有相互分立的若干第一栅极结构，各个所述第一栅极结构两侧的基底内具有源漏掺杂区，若干所述第一栅极结构沿第一方向排列；若干相互分立的第一导电层，各个所述第一导电层位于一个或多个所述源漏掺杂区表面，且所述第一栅极结构顶部表面低于第一导电层顶部表面；若干第一插塞，且各个所述第一导电层部分顶部表面分别具有一个第一插塞；与若干第一插塞连接的导电结构，且所述导电结构与第一栅极结构电隔离。所述半导体结构降低寄生电阻的同时，改善半导体结构的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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