[发明专利]一种IBC太阳能电池金属化栅线结构的制备方法在审
| 申请号： | 201911006554.1 | 申请日： | 2019-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN111477697A | 公开（公告）日： | 2020-07-31 |
| 发明（设计）人： | 刘大伟;屈小勇;宋志成 | 申请（专利权）人： | 国家电投集团西安太阳能电力有限公司;黄河水电西宁太阳能电力有限公司;青海黄河上游水电开发有限责任公司;国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/068;H01L31/18 |
| 代理公司： | 上海精晟知识产权代理有限公司 31253 | 代理人： | 安曼 |
| 地址： | 710099 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明的目的在于公开一种IBC太阳能电池金属化栅线结构的制备方法，与现有技术相比，栅线与硅基体的欧姆接触区域采用局部接触设计，有效降低了金属化区域的复合电流，提升电池转换效率；非接触电极采用镂空设计方案后，与相应的局部接触电极重叠部分较少，在高温烧结工程中两种浆料混合的比例较少，确保局部接触浆料与硅基体形成良好的欧姆接触特性；IBC电池的金属化栅线只需要一步高温烧结工艺，简化工艺流程，实现本发明的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 ibc 太阳能电池 金属化 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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