[发明专利]抛光垫及其制备方法、化学机械研磨设备有效

专利信息
申请号: 201911006629.6 申请日: 2019-10-22
公开(公告)号: CN110614580B 公开(公告)日: 2021-11-19
发明(设计)人: 郭宇轩;赵晟佑 申请(专利权)人: 西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司
主分类号: B24B37/26 分类号: B24B37/26;B24B37/24
代理公司: 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人: 许静;张博
地址: 710000 陕西省西安市*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明提供了一种抛光垫及其制备方法、化学机械研磨设备,属于半导体技术领域。抛光垫的制备方法包括:制备抛光垫过渡结构,所述抛光垫过渡结构形成有多个凹槽,所述多个凹槽的开口位于所述抛光垫过渡结构的同一侧表面;利用无机纳米粒子填充满所述抛光垫过渡结构的凹槽;在所述抛光垫过渡结构上浇筑液态聚合物与固化剂的混合物,抽去液态聚合物和所述凹槽内的空气;将所述抛光垫过渡结构置于高于等于第一温度阈值的环境中,固化后的液态聚合物与所述抛光垫过渡结构组成所述抛光垫。本发明能够降低抛光垫的热膨胀系数。
搜索关键词: 抛光 及其 制备 方法 化学 机械 研磨 设备
【主权项】:
1.一种抛光垫的制备方法,其特征在于,包括:/n制备抛光垫过渡结构,所述抛光垫过渡结构形成有多个凹槽,所述多个凹槽的开口位于所述抛光垫过渡结构的同一侧表面;/n利用无机纳米粒子填充满所述抛光垫过渡结构的凹槽;/n在所述抛光垫过渡结构上浇筑液态聚合物与固化剂的混合物,抽去液态聚合物和所述凹槽内的空气;/n将所述抛光垫过渡结构置于高于等于第一温度阈值的环境中,固化后的液态聚合物与所述抛光垫过渡结构组成所述抛光垫。/n
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