[发明专利]DDR SDRAM物理层接口电路与DDR SDRAM控制装置有效
| 申请号： | 201911007102.5 | 申请日： | 2019-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN111161766B | 公开（公告）日： | 2021-12-03 |
| 发明（设计）人： | 纪国伟;余俊锜;张志伟;周格至;陈世昌 | 申请（专利权）人： | 瑞昱半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/10 | 分类号： | G11C7/10;G11C7/22;G11C11/4093;G11C11/4096 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 王红艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及DDR SDRAM物理层接口电路与DDR SDRAM控制装置。本发明的DDR SDRAM物理层接口电路使用较少电路面积并能调整内存控制器与储存电路之间的信号的相位，包含：多相位时脉产生器产生多个时脉包含参考时脉、第一时脉、第二时脉与第三时脉；除频电路依据该第一时脉产生物理层时脉；时脉输出路径输出该参考时脉给该储存电路；第一输出电路依据该内存控制器的第一输入信号、第一时脉与物理层时脉输出第一输出信号给该储存电路；第二输出电路依据该内存控制器的第二输入信号、第二时脉与物理层时脉输出第二输出信号给该储存电路；以及第三输出电路依据该内存控制器的第三输入信号、第三时脉与物理层时脉输出第三输出信号给该储存电路。 | ||
| 搜索关键词： | ddr sdram 物理层 接口 电路 控制 装置 | ||
【主权项】：
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