[发明专利]一种一维纳米二氧化硅的制备方法有效
| 申请号： | 201911008246.2 | 申请日： | 2019-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN110713350B | 公开（公告）日： | 2021-05-11 |
| 发明（设计）人： | 杜艾;汪宏强;张晨;马怡;周斌 | 申请（专利权）人： | 同济大学 |
| 主分类号： | C03C17/245 | 分类号： | C03C17/245 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人： | 赵志远 |
| 地址： | 200092 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种一维纳米二氧化硅的制备方法，包括以下步骤：将硅源和氨水分别盛放在两个容器中备用；准备载玻片为生长衬底，清洗、干燥后备用；将盛放硅源和氨水的容器和干燥后的载玻片置于真空干燥器中，密封并抽真空，将真空干燥器置于恒温箱中，恒温保存；将真空干燥器从恒温箱中取出，冷却至室温，将载玻片从真空干燥器中取出，载玻片表面的薄膜即为一维纳米二氧化硅；制备得到的一维纳米二氧化硅由直径为46～53nm的非晶态二氧化硅组成，并且该一维纳米二氧化硅具有疏水性。与现有技术相比，本发明具有制备方法简单、对设备要求低、合成效率高等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 二氧化硅 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种一维纳米二氧化硅的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：/n二氧化硅纳米棒合成原料的制备：将硅源和氨水分别盛放在两个容器中备用；/n一维纳米二氧化硅生长衬底的准备：准备载玻片为生长衬底，清洗、干燥后备用；/n一维纳米二氧化硅的化学气相沉积法生长：将盛放硅源和氨水的容器和干燥后的载玻片置于真空干燥器中，密封并抽真空，将真空干燥器置于恒温箱中，恒温保存；将真空干燥器从恒温箱中取出，冷却至室温，将载玻片从真空干燥器中取出，载玻片表面的薄膜即为一维纳米二氧化硅。/n
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