[发明专利]一种Nand Flash中干扰页的检测方法、系统有效

专利信息
申请号: 201911008414.8 申请日: 2019-10-22
公开(公告)号: CN110750467B 公开(公告)日: 2021-11-02
发明(设计)人: 何宁波 申请(专利权)人: 深圳芯邦科技股份有限公司
主分类号: G06F12/02 分类号: G06F12/02;G06F11/07
代理公司: 深圳市深佳知识产权代理事务所(普通合伙) 44285 代理人: 常忠良
地址: 518000 广东省深圳市南山区*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 本申请提供一种Nand Flash中干扰页的检测方法,包括:对Nand Flash的任意逐页写入数据;每写完一页数据,读取当前页之前的所有页数据并判断是否发生数据损坏;若否,则继续写入数据;若是,确认当前页为干扰页,将干扰页编号记入缓冲区;擦除存储块,对存储块中除干扰页编号以外页按编号顺序写入数据并判断是否发生数据损坏;循环执行直至所有干扰页编号均记入缓冲区。本申请使得存储块上电时根据缓冲区中记录的干扰页编号避开干扰页进行数据存储,有利于增强Nand flash存储数据的安全性。本申请还提供一种Nand Flash中干扰页的检测系统、一种计算机可读存储介质和一种终端,具有上述有益效果。
搜索关键词: 一种 nand flash 干扰 检测 方法 系统
【主权项】:
1.一种Nand Flash中干扰页的检测方法,其特征在于,包括:/nS1:获取所述Nand Flash的任意存储块;/nS2:对所述存储块逐页写入数据;/nS3:每写完一页数据,读取当前页之前的所有页数据;/nS4:判断当前页之前的所述所有页数据是否发生数据损坏;若是,进入S5;若否,则返回S2;/nS5:确认当前页为干扰页,将所述当前页的编号作为干扰页编号记入缓冲区;/nS6:判断所述存储块中是否所有页均写过数据;若是,结束检测;若否,进入S7;/nS7:擦除所述存储块,对所述存储块中除所述干扰页编号以外页按编号顺序写入数据,并对所述干扰页编号后的页执行S3和S4。/n
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