[发明专利]一种基于石墨烯墙/硅复合异质结的光电探测器及其制备方法在审
| 申请号： | 201911010071.9 | 申请日： | 2019-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN110729380A | 公开（公告）日： | 2020-01-24 |
| 发明（设计）人： | 王怀昌;付永启;杨俊 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0288;H01L31/0745 |
| 代理公司： | 51229 成都正华专利代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 陈选中 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于石墨烯墙/硅复合异质结的光电探测器及其制备方法。在本发明中中，为了研究石墨烯墙/硅复合的光电探测器，用n掺杂的硅衬底制造了石墨烯墙/硅复合异质结的光电探测器，并采用两层光刻胶进行光刻，然后进行反应离子刻蚀(RIE)工艺，以实现基于石墨烯墙/硅复合的高质量石墨烯墙沟道和光电导探测器。石墨烯墙和硅形成肖特基势垒，将光生电子‑空穴对分开。空穴进入石墨烯墙道，利用光致栅控效应，可以实现高的光响应增益。 | ||
| 搜索关键词： | 石墨烯 硅复合 光电探测器 空穴 异质结 反应离子刻蚀 光电导探测器 肖特基势垒 光生电子 光刻胶 光响应 硅衬底 沟道 光刻 两层 制备 制造 研究 | ||
【主权项】：
1.一种基于石墨烯墙/硅复合异质结的光电探测器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：/nS1：将硅衬底在H
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学，未经电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201911010071.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
