[发明专利]一种反射式CVD钻石微波腔装置在审
申请号: | 201911010438.7 | 申请日: | 2019-10-23 |
公开(公告)号: | CN112695291A | 公开(公告)日: | 2021-04-23 |
发明(设计)人: | 刘宏明;蒋荣方;王骏;赵芬霞 | 申请(专利权)人: | 湖州中芯半导体科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/27 | 分类号: | C23C16/27;C23C16/511 |
代理公司: | 北京盛凡智荣知识产权代理有限公司 11616 | 代理人: | 刘晓明 |
地址: | 313000 浙江省湖州市*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种反射式CVD钻石微波腔装置,包括空心圆柱体、密封盖、密封盖支柱,金属外腔,所述密封盖对称设于空心圆柱体上下两端,所述密封盖支撑柱设于空心圆柱体内,所述密封盖支撑柱两端分别设于密封盖上,所述金属外腔设于空心圆柱体外侧,所述金属外腔中部设有电磁信号接入端和电磁信号输出端,所述电磁信号接入端与电磁信号输出端对称设置。本发明属于磁共振技术领域,具体是指一种结构简单,可提高磁场均匀度的反射式CVD钻石微波腔装置。 | ||
搜索关键词: | 一种 反射 cvd 钻石 微波 装置 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于湖州中芯半导体科技有限公司,未经湖州中芯半导体科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201911010438.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种物体接近感应方法及装置
- 下一篇:电子封装件及其制法
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的