[发明专利]一种绒面化CuO复合结构薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201911010620.2 | 申请日： | 2019-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN110592548B | 公开（公告）日： | 2021-09-17 |
| 发明（设计）人： | 苏江滨;王智伟;马骥;何祖明;郎咸忠;唐斌;蒋美萍 | 申请（专利权）人： | 常州大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/08 |
| 代理公司： | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人： | 董建林 |
| 地址： | 213164 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种绒面化CuO复合结构薄膜及其制备方法，选取表面具有绒面结构的Si片作为衬底放入磁控溅射镀膜设备，并将Si片衬底为绒面结构的一侧对准铜靶放置，同时施加直流衬底偏压，在真空腔室中进行溅射，在Si片表面沉积一层具有复合结构的CuO薄膜。本发明通过利用Si片表面的金字塔状绒面结构，由于受到了尖端集电效应的作用，从而使得材料原子在Si片金字塔状绒面上不同位置具有不同的沉积速率，得到各个位置膜厚、均匀度各不相同的复合结构的CuO薄膜，从而增加CuO薄膜性能的多样性，便于其应用在有多方面要求的环境中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 绒面化 cuo 复合 结构 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种绒面化CuO复合结构薄膜制备方法，其特征在于：选取表面具有绒面结构的Si片作为衬底放入磁控溅射镀膜设备，并将Si片衬底为绒面结构的一侧对准铜靶放置，同时施加直流衬底偏压，在真空腔室中进行溅射，在Si片表面沉积一层具有复合结构的CuO薄膜。/n
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