[发明专利]一种LED芯片、显示屏模组及其制作方法有效

专利信息
申请号: 201911012654.5 申请日: 2019-10-23
公开(公告)号: CN110739376B 公开(公告)日: 2021-06-18
发明(设计)人: 刘权锋;庄文荣;孙明;付小朝;卢敬权 申请(专利权)人: 东莞市中晶半导体科技有限公司
主分类号: H01L33/40 分类号: H01L33/40;H01L33/00;H01L25/075
代理公司: 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 代理人: 刘星
地址: 523000 *** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明提供一种LED芯片、显示屏模组及其制作方法,该LED芯片包括N型半导体层;发光层,位于N型半导体层上方;P型半导体层,位于发光层上方;台阶,贯穿P型半导体层及发光层,并暴露出N型半导体层的部分表面;第一外层电极,位于P型半导体层上方并与其电连接,第二外层电极,位于N型半导体层被台阶暴露的表面上方,并与N型半导体层电连接,其中,第一外层电极与第二外层电极均包括Sn/In/Au叠层结构,且Au层位于最外层。本发明的LED芯片采用了Sn/In/Au电极,采用该类型电极材料的Mini LED芯片在应用于小间距显示屏模组时,可使用激光对其进行固晶,无需经过回流焊,避免了回流焊工序导致的死灯、良率下降问题,并可以减少修复次数,有利于提高生产效率。
搜索关键词: 一种 led 芯片 显示屏 模组 及其 制作方法
【主权项】:
1.一种LED芯片,其特征在于,包括:/nN型半导体层;/n发光层,位于所述N型半导体层上方;/nP型半导体层,位于所述发光层上方;/n台阶,贯穿所述P型半导体层及所述发光层,并暴露出所述N型半导体层的部分表面;/n第一外层电极,位于所述P型半导体层上方,并与所述P型半导体层电连接,所述第一外层电极包括第一Sn/In/Au叠层结构,且Au层位于最外层;/n第二外层电极,位于所述N型半导体层被所述台阶暴露的表面上方,并与所述N型半导体层电连接,所述第二外层电极包括第二Sn/In/Au叠层结构,且Au层位于最外层。/n
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