[发明专利]一种C包覆SiO-SnSiO4有效

专利信息
申请号: 201911013347.9 申请日: 2019-10-23
公开(公告)号: CN110797516B 公开(公告)日: 2022-02-18
发明(设计)人: 许家齐;梁栋栋;林少雄;王辉;陈炜 申请(专利权)人: 合肥国轩高科动力能源有限公司
主分类号: H01M4/36 分类号: H01M4/36;H01M4/38;H01M4/48;H01M4/58;H01M4/583;H01M4/62;H01M10/0525
代理公司: 合肥天明专利事务所(普通合伙) 34115 代理人: 汪贵艳
地址: 230011 安*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明公开了一种C包覆SiO‑SnSiO4‑Si超粒子材料及其制备方法和应用,制备方法包括如下步骤:(1)将SiO、SnO2、纳米硅放入球磨机中,加入分散剂后进行球磨处理,得到的混合物经过喷雾干燥后,得到SiO‑SnO2‑Si混合物;(2)将SiO‑SnO2‑Si混合物放入管式炉中,在惰性气氛中进行高温煅烧得到SiO‑SnSiO4‑Si超粒子;(3)往管式炉中通入氮气乙炔混合气氛,进行C包覆处理,得到C包覆SiO‑SnSiO4‑Si超粒子材料。本发明通过SnO2和SiO2原位合成SnSiO4减少有害相SiO2的生成量,有助于提高电池的首次库仑效率,SnSiO4作为电化学惰性相,可缓解Si和SiO在脱嵌锂过程中的体积膨胀问题,同时碳包覆能有效提高其导电性并稳定电极材料在循环过程中结构变化,在高比能电池领域具有广阔的应用前景。
搜索关键词: 一种 sio snsio base sub
【主权项】:
1.一种C包覆SiO-SnSiO
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