[发明专利]阵列基板的制造方法、阵列基板及显示面板

摘要

本发明提供一种阵列基板的制造方法、阵列基板及显示面板。阵列基板的制造方法包括：在衬底基板上形成第一栅极和遮光图形；在第一栅极和遮光图形上沉积至少一层缓冲层，并在缓冲层上形成位于第一栅极上方的金属氧化物半导体图形和位于遮光图形上方的低温多晶硅半导体图形；在金属氧化物半导体图形和低温多晶硅半导体图形上依次沉积栅极绝缘层和栅极金属层，并进行光刻工艺，以在低温多晶硅半导体图形的上方形成第二栅极；在第二栅极上沉积金属氧化物保护层，在金属氧化物保护层上形成与金属氧化物半导体图形连接的第一源极和第一漏极，并在金属氧化物保护层上形成与低温多晶硅半导体图形连接的第二源极和第二漏极。本发明能够降低显示面板的功耗。

主权项

1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：/n在衬底基板上间隔形成第一栅极和遮光图形，其中，所述第一栅极位于与阵列基板的显示区域对应的区域内；/n在所述第一栅极和所述遮光图形上沉积至少一层缓冲层，并在所述缓冲层上形成位于所述第一栅极上方的金属氧化物半导体图形、和位于所述遮光图形上方的低温多晶硅半导体图形；/n在所述金属氧化物半导体图形和低温多晶硅半导体图形上依次沉积栅极绝缘层和栅极金属层，并进行光刻工艺，以在所述低温多晶硅半导体图形的上方形成第二栅极；/n在所述第二栅极上沉积金属氧化物保护层，在金属氧化物保护层上形成与所述金属氧化物半导体图形连接的第一源极和第一漏极，并在金属氧化物保护层上形成与所述低温多晶硅半导体图形连接的第二源极和第二漏极。/n