[发明专利]阵列基板的制造方法及阵列基板在审

申请号：	201911013977.6	申请日：	2019-10-23
公开（公告）号：	CN110648965A	公开（公告）日：	2020-01-03
发明（设计）人：	刘翔	申请（专利权）人：	成都中电熊猫显示科技有限公司
主分类号：	H01L21/77	分类号：	H01L21/77;H01L27/12;G02F1/1362
代理公司：	11205 北京同立钧成知识产权代理有限公司	代理人：	李小波;刘芳
地址：	610200 四川省成***	国省代码：	四川;51
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摘要：	本发明提供一种阵列基板的制造方法及阵列基板，该制造方法包括：在衬底基板上沉积栅金属层，通过第一次光刻工艺形成栅极。在衬底基板和栅极上依次沉积栅极绝缘层、金属氧化物层、刻蚀阻挡层和源漏金属层，通过第二次光刻工艺使金属氧化物层和刻蚀阻挡层形成有源岛，源漏金属层形成源极和漏极，在源极和漏极之间形成沟槽区，且沟槽区延伸到刻蚀阻挡层。在栅极绝缘层、源极和漏极上沉积钝化层，通过第三次光刻工艺形成导电过孔。在钝化层上沉积透明导电层，通过第四次光刻工艺形成像素电极。在钝化层上涂覆遮光层，遮光层至少覆盖沟槽区，解决了现有的阵列基板制造工艺复杂，制造成本较高的问题。
搜索关键词：	次光刻蚀阻挡层阵列基板沟槽区漏极源极金属氧化物层源漏金属层衬底基板钝化层遮光层沉积沉积栅极绝缘层工艺形成栅极沉积钝化层透明导电层栅极绝缘层导电过孔像素电极栅金属层制造成本制造工艺涂覆源岛制造延伸覆盖
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【主权项】：

1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：/n在衬底基板上沉积栅金属层，通过第一次光刻工艺，使所述栅金属层形成栅极；/n在所述衬底基板和所述栅极上依次沉积栅极绝缘层、金属氧化物层、刻蚀阻挡层和源漏金属层，通过第二次光刻工艺，使所述金属氧化物层和所述刻蚀阻挡层形成有源岛并使所述源漏金属层形成源极和漏极，并在所述源极和所述漏极之间形成沟槽区，且所述沟槽区延伸到所述刻蚀阻挡层；/n在所述栅极绝缘层、所述源极和所述漏极上沉积钝化层，通过第三次光刻工艺，在所述漏极上方的所述钝化层上形成导电过孔；/n在所述钝化层上沉积透明导电层，通过第四次光刻工艺，使所述透明导电层形成像素电极，所述像素电极通过所述导电过孔与所述漏极电连通；/n在所述钝化层上涂覆遮光层，且所述遮光层至少覆盖所述沟槽区。/n

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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