[发明专利]一种基于I-III-VI族量子点的白光发光二极管的制备方法有效
| 申请号： | 201911014680.1 | 申请日： | 2019-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN110729389B | 公开（公告）日： | 2021-09-28 |
| 发明（设计）人： | 黄高翔;黄彦;刘自磊;魏加湖;李凤 | 申请（专利权）人： | 南昌航空大学 |
| 主分类号： | H01L33/50 | 分类号： | H01L33/50 |
| 代理公司： | 南昌洪达专利事务所 36111 | 代理人： | 黄文亮 |
| 地址： | 330063 江*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种I‑III‑VI族量子点及其白光发光二极管的制备方法，包括制备无镉环保的AgInGaS |
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| 搜索关键词： | 一种 基于 iii vi 量子 白光 发光二极管 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于I-III-VI族量子点的白光发光二极管的制备方法，其特征在于，其方法步骤如下：/n步骤(1)、制备得到无镉环保的AgInGaS
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