[发明专利]晶圆级系统封装方法及封装结构在审
申请号: | 201911016401.5 | 申请日: | 2019-10-24 |
公开(公告)号: | CN110783327A | 公开(公告)日: | 2020-02-11 |
发明(设计)人: | 刘孟彬 | 申请(专利权)人: | 中芯集成电路(宁波)有限公司 |
主分类号: | H01L25/18 | 分类号: | H01L25/18;H01L23/31;H01L21/98;H01L23/485;H01L23/488;H01L21/60 |
代理公司: | 31327 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人: | 高静 |
地址: | 315800 浙江省宁波市北*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 一种晶圆级系统封装方法及封装结构,封装方法包括:提供第一器件晶圆,第一器件晶圆中形成有多个器件以及各器件周边的多个第一焊垫,第一焊垫与器件电连接;在第一器件晶圆上形成与第一焊垫电连接的第一导电凸块,第一导电凸块形成在第一焊垫上,或朝器件内部分布,形成有第一导电凸块的面为器件晶圆正面;提供芯片;在芯片上形成第二导电凸块;将芯片背面贴合于器件晶圆正面上,第一导电凸块顶面高于芯片正面;在器件晶圆正面上形成填充于芯片和第一导电凸块之间、且露出第一导电凸块和第二导电凸块的封装层;在封装层上形成互连结构,互连结构与第一导电凸块和第二导电凸块电连接。本发明实施例有利于提高封装结构的电连接性能和封装性能。 | ||
搜索关键词: | 导电凸块 焊垫 晶圆正面 电连接 晶圆 封装结构 互连结构 芯片 封装层 封装 电连接性能 多个器件 封装性能 器件周边 芯片背面 芯片正面 级系统 顶面 填充 贴合 种晶 | ||
【主权项】:
1.一种晶圆级系统封装方法,其特征在于,包括:/n提供第一器件晶圆,所述第一器件晶圆中形成有多个器件,以及各器件周边的多个第一焊垫,所述第一焊垫与所述器件电连接;/n在所述第一器件晶圆上形成与所述第一焊垫电连接的第一导电凸块,所述第一导电凸块形成在所述第一焊垫上,或朝所述器件内部分布,形成有所述第一导电凸块的面为器件晶圆正面;/n提供芯片;/n在所述芯片上形成第二导电凸块,形成有所述第二导电凸块的面为芯片正面,与所述芯片正面相背的面为芯片背面;/n将所述芯片背面贴合于所述器件晶圆正面上,所述第一导电凸块顶面高于所述芯片正面;/n在所述器件晶圆正面上形成封装层,所述封装层填充于所述芯片和所述第一导电凸块之间,且露出所述第一导电凸块和第二导电凸块;/n在所述封装层上形成互连结构,所述互连结构与所述第一导电凸块和所述第二导电凸块电连接。/n
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