[发明专利]一种半导体材料的触头制作方法有效
| 申请号： | 201911017260.9 | 申请日： | 2019-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN110767543B | 公开（公告）日： | 2021-10-08 |
| 发明（设计）人： | 闫一方 | 申请（专利权）人： | 苏师大半导体材料与设备研究院（邳州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京和联顺知识产权代理有限公司 11621 | 代理人： | 谢冰 |
| 地址： | 221300 江苏省徐州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体材料的触头制作方法，涉及材料科学技术领域。该半导体材料的触头制作方法，包括以下步骤：S1.准备一半导体材料作为基板，对基板的表面进行抛光处理，然后去除基板表面的污物，并将基板放入到HCl溶液中浸泡3‑5min，取出后放入到真空环境中，利用去离子水对其表面进行反复冲洗，最后利用氮气对其进行干燥处理；S2.在基板表面形成多个触头区，然后利用溅射法对基板表面进行钝化，形成二氧化硅钝化层，钝化温度为800‑1200℃。通过制作触头的过程中，在基板的表面形成两层钝化层，使得半导体材料的表面以及触头位置都不易受到腐蚀，大大提高了基板以及触头的性能，从而让半导体器件使用的稳定性较好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体材料 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体材料的触头制作方法，其特征在于：包括以下步骤：/nS1.准备一半导体材料作为基板，对基板的表面进行抛光处理，然后去除基板表面的污物，并将基板放入到HCl溶液中浸泡3-5min，取出后放入到真空环境中，利用去离子水对其表面进行反复冲洗，最后利用氮气对其进行干燥处理；/nS2.在基板表面形成多个触头区，然后利用溅射法对基板表面进行钝化，形成二氧化硅钝化层，钝化温度为800-1200℃，取出钝化后的基板在通入氮气的真空环境下自然冷却；/nS3.在触头区内设置金属片，在真空箱中将金属片焊接在基板上，然后将金属片进行击穿处理并形成触头，同时将多个触头之间进行电连接；/nS4.在触头上设置一层掩膜，制作钝化层靶材，利用化学沉淀法在基板表面形成第二层钝化层，其中靶材由以下重量份成分组成：氮化铝20-30份、氮化硅30-50份、三氧化钨10-30份与二氧化钛15-25份；/nS5.待半导体材料恢复至室温之后，对半导体材料的触头进行测试，分析半导体材料的相关运行参数，对触头的性能进行评估。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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