[发明专利]铌酸钾基高温质子导体材料及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201911018585.9 申请日: 2019-10-24
公开(公告)号: CN110746187B 公开(公告)日: 2021-11-05
发明(设计)人: 厉英;闫鹏;李宏政 申请(专利权)人: 东北大学
主分类号: C04B35/495 分类号: C04B35/495;C04B35/622
代理公司: 沈阳东大知识产权代理有限公司 21109 代理人: 李珉
地址: 110819 辽宁*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 一种铌酸钾基高温质子导体材料及其制备方法,质子导体材料的分子式为KNb1‑xMxO3‑α,M为In、Sc或Yb;方法包括以下步骤:(1)准备K2CO3粉体、Nb2O5粉体和掺杂金属氧化物粉体为原料;(2)将原料以无水乙醇为介质球磨,然后烘干,过200目筛;(3)在700±5℃条件下焙烧,随炉冷却;(4)用压片机压制成片,等静压压制成坯料;(5)置于二氧化锆刚玉坩埚中,加热至900±5℃后烧结,随炉冷却。本发明的方法在低温即可合成目标产物;质子导体材料在氢气、水蒸气传感器、氢燃料电池、有机物的加氢脱氢、电化学合成氨等方面具有良好应用前景。
搜索关键词: 铌酸钾基 高温 质子 导体 材料 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种铌酸钾基高温质子导体材料,其特征在于分子式为KNb
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