[发明专利]功率MOS器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201911018831.0 | 申请日： | 2019-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN110739344A | 公开（公告）日： | 2020-01-31 |
| 发明（设计）人： | 宋金星;谢志平 | 申请（专利权）人： | 中芯集成电路制造(绍兴)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 31237 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 312000 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种功率MOS器件及其制造方法。所述功率MOS器件包括半导体衬底，半导体衬底的第一表面具有外延层，所述外延层中包括漂移区以及位于所述漂移区上的阱区和源区，半导体衬底的第二表面具有漏极金属层，所述半导体衬底中设置有导电插塞，所述导电插塞的电阻率小于周围所述半导体衬底的电阻率。通过设置导电插塞，不需要将半导体衬底过于减薄即可达到降低导通电阻的效果，有助于在降低功率MOS器件的导通电阻的同时提高器件可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 半导体 导电插塞 功率MOS器件 导通电阻 电阻率 漂移区 外延层 漏极金属层 器件可靠性 第二表面 第一表面 降低功率 减薄 源区 阱区 制造 | ||
【主权项】：
1.一种功率MOS器件，其特征在于，包括半导体衬底，所述半导体衬底具有相对的第一表面和第二表面，所述第一表面具有外延层，所述外延层中包括漂移区以及位于所述漂移区上的阱区和源区，所述第二表面具有漏极金属层，所述半导体衬底中设置有导电插塞，所述导电插塞的电阻率小于周围所述半导体衬底的电阻率。/n
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