[发明专利]一种单层或双层二硫化钨薄膜的制备方法

摘要

本发明提供了一种单层或双层二硫化钨薄膜的制备方法，采用双‑异丙基环戊烯基二氢化钨（WH2(iPrCp)2）和氧分子（O2）等离子体作为前驱体，通过原子层沉积（ALD）方法制备出三氧化钨（WO3）薄膜。之后通过硫化WO3薄膜得到单层或双层二硫化钨（SW2）薄膜。本发明采用原子层沉积技术，可通过反应周期精确控制薄膜厚度，可生成单层或双层、致密性良好的二硫化钨（SW2）薄膜，具有重复性好、控制精度高等优势。

主权项

1.一种单层或双层二硫化钨薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：/n步骤1、将衬底进行清洗并烘干后，放入将原子层沉积腔室中；/n步骤2、调节原子层沉积腔室温度至280~320℃，将原子层沉积腔室气压抽真空；/n步骤3、加热双-异丙基环戊烯基二氢化钨（WH