[发明专利]一种基于隔膜与异质集成工艺的在片校准件及其制作方法有效
| 申请号： | 201911020209.3 | 申请日： | 2019-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN110988768B | 公开（公告）日： | 2022-04-22 |
| 发明（设计）人： | 王立平;丁旭;顾易帆 | 申请（专利权）人： | 浙江铖昌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G01R35/00 | 分类号： | G01R35/00 |
| 代理公司： | 杭州天昊专利代理事务所(特殊普通合伙) 33283 | 代理人： | 董世博 |
| 地址： | 310000 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于隔膜与异质集成工艺的在片校准件及其制作方法，包括玻璃载板、金属导体层、隔膜层、衬底；金属导体层设置在隔膜层上，隔膜层设置在衬底上，其中衬底与金属导体层相对应的位置处设置衬底空腔；衬底设置在玻璃载板之上；金属导体层引出金属至下方衬底未设置衬底空腔的位置；本发明提出具有超宽工作频带、低损耗特性，具有高精密性、高准确性、高重复性特点，满足当下毫米波以及更高频段的应用需求的一种基于隔膜与异质集成工艺的在片校准件及其制作方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 隔膜 集成 工艺 校准 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江铖昌科技股份有限公司，未经浙江铖昌科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201911020209.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
